据 TomsHardware 报道，长江存储已经开始出货第五代 3D TLC NAND 闪存，共有 294 层，以及 232 个有源层。尽管长江存储在技术开发商受到了诸多限制，但是已经成功地将密度提高到行业相同的水平，实现了最高的垂直栅密度，也是现阶段商业产品中最高的，使得长江存储成为了全球 NAND 闪存市场的有力竞争者。
与之前的设计一样，长江存储的 3D NAND 器件使用了串堆叠。294 层无论对于长江存储乃至整个闪存行业都是一个重要里程碑，232 个有源层也与竞争对手一致。目前只有 SK 海力士的 321 层 TLC 4D NAND 闪存拥有者业界最高的有效层数，将于今年上半年开始出货。
在位密度方面，长江存储第五代 3D TLC NAND 闪存超过了 20Gb/mm²，预计与 SK 海力士差不多，略低于铠侠和西部数据 BiCS8 QLC NAND 闪存的 22.9Gb/mm²。长江存储应该采用了晶栈 4.0（Xtacking 4.0）架构，继续使用了混合键合技术将闪存阵列与 CMOS 逻辑和接口连接起来，以最大限度地提高存储密度和I/O性能，通常都会超过竞争对手。
虽然长江存储已经开始出货第五代 3D TLC NAND 闪存，但是官方还没有正式发布该款闪存芯片，很可能是为了避免引起外界的关注。
